SIE832DF-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SIE832DF-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $1.7436 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 10-PolarPAK® (S) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 14A, 10V |
Verlustleistung (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 10-PolarPAK® (S) |
Andere Namen | SIE832DF-T1-GE3TR SIE832DFT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
SIE832DF-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIE832DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIE832DF-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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